SIDC02D60F6X1SA1

DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
SIDC02D60F6X1SA1 P1
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Infineon Technologies ~ SIDC02D60F6X1SA1

Numero di parte
SIDC02D60F6X1SA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte SIDC02D60F6X1SA1
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 27µA @ 600V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Sawn on foil
Temperatura operativa - Giunzione -40°C ~ 150°C

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