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| Numero di parte | IRLMS5703TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Micro6™(TSOP-6) |
| Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRLMS1503TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 0 | Dettagli | |
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IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 12000 | Dettagli | |
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IRLMS1902TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP | 0 | Dettagli | |
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IRLMS1902TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP | 48000 | Dettagli | |
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IRLMS2002 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6 | 0 | Dettagli | |
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IRLMS2002GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP | - | 0 | Dettagli |
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IRLMS2002TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP | 0 | Dettagli | |
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IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP | 24000 | Dettagli | |
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IRLMS4502TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP | 0 | Dettagli | |
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IRLMS5703TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP | 0 | Dettagli | |
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IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 12000 | Dettagli | |
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IRLMS6702TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP | 0 | Dettagli |