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| Numero di parte | IRFR1205TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 26A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRFR1010Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Dettagli | |
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IRFR1010ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 838 | Dettagli | |
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IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Dettagli | |
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IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Dettagli | |
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IRFR1010ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 0 | Dettagli | |
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IRFR1018EPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK | 589 | Dettagli | |
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IRFR1018ETRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 56A DPAK | 4000 | Dettagli | |
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IRFR1018ETRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK | 0 | Dettagli | |
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IRFR110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR110PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 3337 | Dettagli |
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IRFR110TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR110TRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | - | 0 | Dettagli |