IRFH5300TRPBF

MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
IRFH5300TRPBF P1
IRFH5300TRPBF P2
IRFH5300TRPBF P1
IRFH5300TRPBF P2
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

Infineon Technologies ~ IRFH5300TRPBF

Numero di parte
IRFH5300TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
IRFH5300TRPBF.pdf IRFH5300TRPBF PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte IRFH5300TRPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.6W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN

prodotti correlati

Tutti i prodotti