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Infineon Technologies ~ IRF5210STRLPBF

Numero di parte	IRF5210STRLPBF
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2780pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 38A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
IRF520	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 10A TO-220		0	Dettagli
IRF520N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB		0	Dettagli
IRF520NL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262		0	Dettagli
IRF520NLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262		0	Dettagli
IRF520NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB		1902	Dettagli
IRF520NS	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK		0	Dettagli
IRF520NSPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK		0	Dettagli
IRF520NSTRL	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK		0	Dettagli
IRF520NSTRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK		800	Dettagli
IRF520NSTRR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK		0	Dettagli
IRF520NSTRRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK		0	Dettagli
IRF520PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB	-	0	Dettagli