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| Numero di parte | IPD95R2K0P7ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD95R1K2P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 6A TO252 | - | 87095 | Dettagli |
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IPD95R2K0P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 4A TO252 | - | 111087 | Dettagli |
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IPD95R450P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 14A TO252 | - | 55625 | Dettagli |
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IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 9A TO252 | - | 68085 | Dettagli |