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| Numero di parte | IPD90N03S4L-02 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9750pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 90A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD90N03S4L-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 5000 | Dettagli |
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IPD90N03S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 77359 | Dettagli |
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IPD90N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | - | 7500 | Dettagli |
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IPD90N04S304ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD90N04S3H4ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD90N04S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD90N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD90N04S405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD90N04S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | - | 0 | Dettagli |
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IPD90N06S404ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | 0 | Dettagli |