IPD30N08S2L21ATMA1

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
IPD30N08S2L21ATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPD30N08S2L21ATMA1

Numero di parte
IPD30N08S2L21ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPD30N08S2L21ATMA1
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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