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| Numero di parte | IPD068P03L3GATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7720pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 70A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A | 0 | Dettagli | |
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IPD068N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 0 | Dettagli |