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| Numero di parte | IPB017N06N3 G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7 |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 | - | 0 | Dettagli |
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | - | 8000 | Dettagli |
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IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | - | 26438 | Dettagli |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | - | 0 | Dettagli |
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 | - | 1000 | Dettagli |
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IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 3000 | Dettagli |
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IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 29082 | Dettagli |
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IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 2000 | Dettagli |
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IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | - | 29082 | Dettagli |
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IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 | 0 | Dettagli | |
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IPB016N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | - | 2000 | Dettagli |
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IPB016N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | - | 25466 | Dettagli |