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| Numero di parte | BSZ019N03LS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta). 40A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSZ013NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 32A 8SON | 0 | Dettagli | |
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BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON | 0 | Dettagli | |
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BSZ017NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 27A 8SON | 0 | Dettagli | |
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BSZ018NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | - | 15000 | Dettagli |
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BSZ018NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8 | - | 92112 | Dettagli |
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BSZ018NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | - | 15000 | Dettagli |
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BSZ018NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8 | - | 87725 | Dettagli |
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BSZ019N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | - | 45000 | Dettagli |
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BSZ019N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8 | - | 100038 | Dettagli |
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BSZ023N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSZ025N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8 | 5000 | Dettagli | |
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BSZ028N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 21A 8TSDSON | 0 | Dettagli |