BSO303PHXUMA1

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
BSO303PHXUMA1 P1
BSO303PHXUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSO303PHXUMA1

Numero di parte
BSO303PHXUMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte BSO303PHXUMA1
Stato parte Active
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2678pF @ 25V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8

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