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| Numero di parte | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 49µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 50A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BSC027N03S G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | 0 | Dettagli | |
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BSC027N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 30000 | Dettagli |
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BSC027N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 0 | Dettagli |
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BSC027N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 100V | - | 33461 | Dettagli |