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| Numero di parte | 64-0055PBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4520pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 75A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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64-0007 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | 0 | Dettagli | |
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64-0055PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-220AB | - | 0 | Dettagli |
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64-03/R6SGHBHC-B01/2T | Everlight Electronics Co Ltd | LED RGB CLEAR 6SMD | 0 | Dettagli |