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| Numero di parte | FDR6580 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.2A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3829pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT™-8 |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Gull Wing |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FDR4420A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR6580 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR6674A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR8305N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR8308P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR838P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR840P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR842P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR844P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR8508P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR8521L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V SSOT-8 | 0 | Dettagli | |
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FDR858P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 | 0 | Dettagli |