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Numero di parte | FDMC7672 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16.9A (Ta), 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3890pF @ 15V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 33W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 16.9A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3.3x3.3) |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |