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| Numero di parte | FDMA8884 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta), 8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-MicroFET (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-VDFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDM100-0045SP | IXYS | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 | 0 | Dettagli | |
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FDM15-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 | - | 0 | Dettagli |
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FDM21-05QC | IXYS | MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 | 0 | Dettagli | |
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FDM2509NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP | 0 | Dettagli | |
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FDM3300NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET | 0 | Dettagli | |
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FDM3622 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | - | 3000 | Dettagli |
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FDM47-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 | - | 0 | Dettagli |
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FDM606P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET | 0 | Dettagli | |
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FDM6296 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33 | 0 | Dettagli | |
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FDMA008P20LZ | Fairchild/ON Semiconductor | PT8PZ 20/8V VIS WITH 2.05X2.05 P | - | 0 | Dettagli |
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FDMA0104 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 9.4A MICROFET | - | 10268 | Dettagli |
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FDMA037N08LC | ON Semiconductor | FET 80V 3.7 MOHM MLP33 | - | 101365 | Dettagli |