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| Numero di parte | FDD10N20LZTM |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 3.8A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDD107AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK | 0 | Dettagli | |
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FDD10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | - | 22500 | Dettagli |
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FDD10AN06A0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK | - | 88634 | Dettagli |
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FDD10AN06A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDD10N20LZTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3 | - | 2500 | Dettagli |
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FDD120AN15A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | - | 2500 | Dettagli |
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FDD120AN15A0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | - | 114993 | Dettagli |
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FDD120AN15A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FDD13AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | - | 12500 | Dettagli |
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FDD13AN06A0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | - | 101150 | Dettagli |
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FDD13AN06A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK | - | 37500 | Dettagli |
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FDD14AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK | 0 | Dettagli |