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| Numero di parte | FDD050N03B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2875pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FDD044AN03L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK | 0 | Dettagli | |
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FDD050N03B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FDD068AN03L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK | 0 | Dettagli |