FDC6321C

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
FDC6321C P1
FDC6321C P2
FDC6321C P3
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FDC6321C P2
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDC6321C

Numero di parte
FDC6321C
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- FDC6321C PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte FDC6321C
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 680mA, 460mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Potenza - Max 700mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore SuperSOT™-6

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