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| Numero di parte | FDB14AN06LA0_F085 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 67A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 67A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB14AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB | 0 | Dettagli | |
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FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | - | 58039 | Dettagli |
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FDB14AN06LA0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | - | 800 | Dettagli |