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| Numero di parte | FDB12N50FTM_WS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB120N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET NCH 100V 74A D2PAK | - | 800 | Dettagli |
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FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 43993 | Dettagli |
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FDB12N50FTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB12N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 800 | Dettagli |
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FDB12N50UTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK | - | 0 | Dettagli |