DMT2004UPS-13

MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
DMT2004UPS-13 P1
DMT2004UPS-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMT2004UPS-13

Numero di parte
DMT2004UPS-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte DMT2004UPS-13
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1683pF @ 15V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN

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