DGD2118S8-13

IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO
DGD2118S8-13 P1
DGD2118S8-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DGD2118S8-13

Numero di parte
DGD2118S8-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- DGD2118S8-13 PDF online browsing
Famiglia
PMIC - Gate driver
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Numero di parte DGD2118S8-13
Stato parte Active
Configurazione guidata High-Side
Tipo di canale Single
Numero di driver 1
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura 10 V ~ 20 V
Tensione logica - VIL, VIH 6V, 9.5V
Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) 290mA, 600mA
Tipo di input Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 75ns, 35ns
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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