AOW298

MOSFET N-CH 100V 9A TO262
AOW298 P1
AOW298 P2
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOW298

Numero di parte
AOW298
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 9A TO262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte AOW298
Stato parte Last Time Buy
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 58A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-262
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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