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| Numero di parte | AOW10N60 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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AOW10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | - | 0 | Dettagli |
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AOW10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB | 0 | Dettagli | |
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AOW11N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | 798 | Dettagli | |
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AOW11S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW11S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 12A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 12A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW12N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 12A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW14N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 14A TO262 | 0 | Dettagli | |
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AOW15S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 15A TO262 | 0 | Dettagli |