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| Numero di parte | AOTF266L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta), 78A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5650pF @ 30V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3F |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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AOT10B60D | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 20A 163W TO220 | 1722 | Dettagli | |
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AOT10B65M1 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Dettagli | |
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AOT10B65M2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 650V 10A TO220 | 1000 | Dettagli | |
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AOT10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 505 | Dettagli | |
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AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Dettagli | |
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AOT10N60_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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AOT10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO220 | 0 | Dettagli | |
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AOT10T60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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AOT10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220 | 0 | Dettagli | |
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AOT10T60PL | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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AOT1100L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 8A TO220 | 0 | Dettagli | |
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AOT11C60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 0 | Dettagli |