AON7900

MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
AON7900 P1
AON7900 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON7900

Numero di parte
AON7900
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte AON7900
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A, 13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V
Potenza - Max 1.8W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (3.3x3.3)

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