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BOM

AON6452L

MOSFET N-CH 100V 8DFN
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › AON6452L
AON6452L P1
AON6452L P1
Le immagini sono solo di riferimento.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON6452L

Numero di parte
AON6452L
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 8DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- AON6452L PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte AON6452L
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta), 26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 35W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN-EP (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN

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Immagine Numero di parte Produttori Descrizione PDF Disponibile vista
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