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BOM

AON3419

MOSFET P-CH 30V 10A DFN
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › AON3419
AON3419 P1
AON3419 P1
Le immagini sono solo di riferimento.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON3419

Numero di parte
AON3419
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 10A DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
AON3419.pdf AON3419 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte AON3419
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (2.9x2.3)
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead

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