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BOM

AOC2870

MOSFET 2 N-CHANNEL 4DFN
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › AOC2870
AOC2870 P1
AOC2870 P1
Le immagini sono solo di riferimento.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOC2870

Numero di parte
AOC2870
fabbricante
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione
MOSFET 2 N-CHANNEL 4DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- AOC2870 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
  • In stock $ Quantità pz
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Numero di parte AOC2870
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.4W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 4-XDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DFN (1.7x1.7)

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