C2M0045170P

ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
C2M0045170P P1
C2M0045170P P1
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Cree/Wolfspeed ~ C2M0045170P

Numéro d'article
C2M0045170P
Fabricant
Cree/Wolfspeed
La description
ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- C2M0045170P PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article C2M0045170P
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 18mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 188nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3672pF @ 1000V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 520W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247-4L
Paquet / cas TO-247-4

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