NXPSC08650Q

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
NXPSC08650Q P1
NXPSC08650Q P1
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WeEn Semiconductors ~ NXPSC08650Q

Numéro d'article
NXPSC08650Q
Fabricant
WeEn Semiconductors
La description
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article NXPSC08650Q
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Courant - Rectifié moyen (Io) 8A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 8A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 230µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 260pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-2
Package de périphérique fournisseur TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction 175°C (Max)

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