BYV430J-600PQ

DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
BYV430J-600PQ P1
BYV430J-600PQ P1
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WeEn Semiconductors ~ BYV430J-600PQ

Numéro d'article
BYV430J-600PQ
Fabricant
WeEn Semiconductors
La description
DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BYV430J-600PQ PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article BYV430J-600PQ
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Cathode
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 30A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 2V @ 30A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 90ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 600V
Température de fonctionnement - Jonction 175°C (Max)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3
Package de périphérique fournisseur TO-3P

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