BYC30-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
BYC30-1200PQ P1
BYC30-1200PQ P1
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WeEn Semiconductors ~ BYC30-1200PQ

Numéro d'article
BYC30-1200PQ
Fabricant
WeEn Semiconductors
La description
DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BYC30-1200PQ PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article BYC30-1200PQ
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 30A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 3.3V @ 30A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 65ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 250µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-2
Package de périphérique fournisseur TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction 175°C (Max)

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