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| Numéro d'article | SQ4282EY-T1_GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Standard |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2367pF @ 15V |
| Puissance - Max | 3.9W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOIC |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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SQ4282EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | - | 91269 | Détails |
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SQ4284EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | - | 0 | Détails |