SIZ346DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
SIZ346DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ346DT-T1-GE3

Numéro d'article
SIZ346DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SIZ346DT-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SIZ346DT-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5 mOhm @ 10A, 10V, 11.5 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
Puissance - Max 16W, 16.7W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-Power33 (3x3)

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