TPH3202LS

GAN FET 600V 9A PQFN88
TPH3202LS P1
TPH3202LS P1
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Transphorm ~ TPH3202LS

Numéro d'article
TPH3202LS
Fabricant
Transphorm
La description
GAN FET 600V 9A PQFN88
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article TPH3202LS
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
Vgs (Max) ±18V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 5.5A, 8V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PQFN (8x8)
Paquet / cas 3-PowerDFN

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