TPCF8402(TE85L,F,M

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
TPCF8402(TE85L,F,M P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPCF8402(TE85L,F,M

Numéro d'article
TPCF8402(TE85L,F,M
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article TPCF8402(TE85L,F,M
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V
Puissance - Max 330mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur VS-8 (2.9x1.5)

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