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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6N7002KFU,LF

Numéro d'article	SSM6N7002KFU,LF
État de la pièce	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Puissance - Max	285mW
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	US6

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
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