SSM6L16FETE85LF

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
SSM6L16FETE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM6L16FETE85LF

Numéro d'article
SSM6L16FETE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SSM6L16FETE85LF PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SSM6L16FETE85LF
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 0.1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Puissance - Max 150mW
Température de fonctionnement 150°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6 (1.6x1.6)

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