DF2B18FU,H3F

TVS DIODE 12VWM 33VC
DF2B18FU,H3F P1
DF2B18FU,H3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ DF2B18FU,H3F

Numéro d'article
DF2B18FU,H3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TVS DIODE 12VWM 33VC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DF2B18FU,H3F PDF online browsing
Famille
TVS - Diodes
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Numéro d'article DF2B18FU,H3F
État de la pièce Active
Type Steering (Rail to Rail)
Canaux unidirectionnels 1
Canaux bidirectionnels -
Tension - Inverser l'écart (Typ) 12V
Tension - Panne (Min) 16.2V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 33V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 2.5A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête 80W
Protection de ligne électrique No
Applications Automotive
Capacité @ Fréquence 9pF @ 1MHz
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseur USC

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