2SK880GRTE85LF

JFET N-CH 50V 0.1W USM
2SK880GRTE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK880GRTE85LF

Numéro d'article
2SK880GRTE85LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
JFET N-CH 50V 0.1W USM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2SK880GRTE85LF PDF online browsing
Famille
Transistors - JFET
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Numéro d'article 2SK880GRTE85LF
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 50V
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 2.6mA @ 10V
Drain de courant (Id) - Max -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 1.5V @ 100nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 10V
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 100mW
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur SC-70

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