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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 2SK3564(STA4,Q,M)

Numéro d'article: 2SK3564(STA4,Q,M)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique: 2SK3564(STA4,Q,M).pdf 2SK3564(STA4,Q,M) PDF online browsing
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Numéro d'article	2SK3564(STA4,Q,M)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	900V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220SIS
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack

Numéro d'article	Les fabricants	La description	En stock	Vue
2SK3564(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS	2667	Détails
2SK3565(Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS	0	Détails
2SK3566(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS	48	Détails