S12GC M6G

DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
S12GC M6G P1
S12GC M6G P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ S12GC M6G

Numéro d'article
S12GC M6G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
La description
DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article S12GC M6G
État de la pièce Not For New Designs
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Courant - Rectifié moyen (Io) 12A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.1V @ 12A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F 78pF @ 4V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas DO-214AB, SMC
Package de périphérique fournisseur DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C

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