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| Numéro d'article | STQ2LN60K3-AP |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 600mA (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 1A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-92-3 |
| Paquet / cas | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 | - | 0 | Détails |