STGW60H65DFB-4

IGBT
STGW60H65DFB-4 P1
STGW60H65DFB-4 P1
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STMicroelectronics ~ STGW60H65DFB-4

Numéro d'article
STGW60H65DFB-4
Fabricant
STMicroelectronics
La description
IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article STGW60H65DFB-4
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Puissance - Max 375W
Échange d'énergie 346µJ (on), 1.161mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 306nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 65ns/261ns
Condition de test 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 60ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-4
Package de périphérique fournisseur TO-247-4L

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