LRI2K-SBN18/1GE

IC EEPROM MEMORY TAG WAFER
LRI2K-SBN18/1GE P1
LRI2K-SBN18/1GE P1
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STMicroelectronics ~ LRI2K-SBN18/1GE

Numéro d'article
LRI2K-SBN18/1GE
Fabricant
STMicroelectronics
La description
IC EEPROM MEMORY TAG WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transpondeurs/badges RFID
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Numéro d'article LRI2K-SBN18/1GE
État de la pièce Active
Style Inlay
La technologie Passive
La fréquence 13.56MHz
Type de mémoire Read/Write
Mémoire inscriptible 2kb (User)
Normes ISO 15693, ISO 18000-3
Température de fonctionnement -20°C ~ 85°C
Taille / Dimension 76.00mm x 45.00mm

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