SP8M51FRATB

4V DRIVE NCHPCH MOSFET
SP8M51FRATB P1
SP8M51FRATB P1
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Rohm Semiconductor ~ SP8M51FRATB

Numéro d'article
SP8M51FRATB
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
4V DRIVE NCHPCH MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SP8M51FRATB
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP

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