RGT40NS65DGTL

IGBT 650V 40A 161W TO-263S
RGT40NS65DGTL P1
RGT40NS65DGTL P1
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Rohm Semiconductor ~ RGT40NS65DGTL

Numéro d'article
RGT40NS65DGTL
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
IGBT 650V 40A 161W TO-263S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- RGT40NS65DGTL PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article RGT40NS65DGTL
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
Puissance - Max 161W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 40nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 22ns/75ns
Condition de test 400V, 20A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 58ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur LPDS (TO-263S)

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